力特半导体（无锡）有限公司 main business:研究开发生产新型电子元器件、瞬态电压抑制二极管、可控硅；并提供相关的技术服务、技术咨询；上述商品的批发及进出口业务（以上商品进出口不涉及国营贸易、进出口配额许可证、出口配额招标、出口许可证等专项管理的商品）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 320200400006738
- 913202147439237116
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(台港澳法人独资)
- 2002年11月25日
- IAN PAUL DAVID HIGHLEY
- 7470.000000
- 2002年11月25日 至 2052年11月24日
- 无锡市新吴区市场监督管理局
- 2017年05月25日
- 无锡市新区硕放振发六路3号
- 研究开发生产新型电子元器件、瞬态电压抑制二极管、可控硅；并提供相关的技术服务、技术咨询；上述商品的批发及进出口业务（以上商品进出口不涉及国营贸易、进出口配额许可证、出口配额招标、出口许可证等专项管理的商品）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 力特 | http://www.littelfuse.com/ |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104465338B | 深沟槽多层光刻覆盖结构及其光刻覆盖方法 | 2017.02.22 | 本发明提供一种深沟槽多层光刻覆盖结构及其光刻覆盖方法，解决使用光刻胶对深沟槽进行覆盖时，台阶覆盖不良 |
| 2 | CN106098549A | 使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法 | 2016.11.09 | 本发明公开了一种使用表面掩膜结构进行硅刻蚀的方法，包括以下步骤：在硅衬底上依次生长第一氧化物层、氮化 |
| 3 | CN204346200U | 冬季利用外界温度进行节能降耗的工艺冷却水系统 | 2015.05.20 | 本实用新型公开了一种冬季利用外界温度进行节能降耗的工艺冷却水系统，包括冷却水泵、冷却塔、热交换器以及 |
| 4 | CN104599955A | 一种减少推结时间的工艺 | 2015.05.06 | 本发明提供一种减少推结时间的工艺，解决现有半导体工艺中推结时间过长的问题。本发明使用光刻工艺，将晶片 |
| 5 | CN204298180U | 含氟废水的处理系统 | 2015.04.29 | 本实用新型公开了一种含氟废水的处理系统，包括顺序连接的含氟废水收集水槽、废水泵、ACF吸附塔、袋式过 |
| 6 | CN204303818U | 深浅双沟槽结构 | 2015.04.29 | 本实用新型提供一种深浅双沟槽结构，解决深沟槽刻蚀技术中沟槽横向刻蚀距离和刻蚀效率的问题。包括一硅片， |
| 7 | CN204303755U | 深沟槽多层光刻覆盖结构 | 2015.04.29 | 本实用新型提供一种深沟槽多层光刻覆盖结构，解决使用光刻胶对深沟槽进行覆盖时，台阶覆盖不良以及显影不良 |
| 8 | CN104576642A | 深浅双沟槽结构及刻蚀方法 | 2015.04.29 | 本发明提供一种深浅双沟槽结构及刻蚀方法，解决深沟槽刻蚀技术中沟槽横向刻蚀距离和刻蚀效率的问题。将正常 |
| 9 | CN104478136A | 含氟废水的处理方法及处理系统 | 2015.04.01 | 本发明公开了一种含氟废水的处理方法及处理系统。将含氟废水送入含氟废水收集槽进行化学混凝沉淀；送入AC |
| 10 | CN104465338A | 深沟槽多层光刻覆盖结构及其光刻覆盖方法 | 2015.03.25 | 本发明提供一种深沟槽多层光刻覆盖结构及其光刻覆盖方法，解决使用光刻胶对深沟槽进行覆盖时，台阶覆盖不良 |
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